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Intel podria lanzar las memorias DDR4 en 2014

Written By prueba on jueves, 5 de abril de 2012 | 12:55


Normalmente cuando compramos un ordenador personal, lo hacemos mirando al futuro, esperando que en algún momento podamos actualizar componente concreto de nuestro sistema sin tener que realizar un gran esfuerzo, y a menudo encontrándonos con que además de, por ejemplo, nuestro procesador, hemos de cambiar la placa base porque así lo dicta el socket de la nueva CPU. En el caso de la memoria es si cabe más evidente, con los cambios de los módulos PC100/133 a la RAM DDR, y sus evoluciones, DDR2 y la actual DDR3 (que mi equipo de sobremesa aún no ha adoptado) Los cambios vienen marcados por notables aumentos de velocidad y ancho de banda, y aunque todavía no hemos explotado los módulos DDR3 al máximo — el próximo año alcanzarían probablemente los 3Ghz en la memoria de consumo — parece que los fabricantes ya están planteando el cambio a la siguiente generación, de la que ya existen los primeros prototipos, con unas especificaciones que dan miedo.
La próxima generación de chips Core i de Intel, de nombre en código Haswell, todavía utilizará, al menos en un principio como ocurriese con anteriores generaciones, la especificación actual DDR3, aunque pasadas las primeras remesas, para cuando llegue la plataforma Haswell EX con sistemas de 4 sockets en 2014, estos chips especialmente diseñados para servidores y workstations incorporarán soporte DDR4 según un informe publicado por el sitio web VR-Zone. DDR4 rebajará el voltaje nominal de los módulos hasta 1.2v por defecto, e incorporará medidas de protección más avanzadas contra errores, incluso en módulos convencionales.
En el terreno de los ordenadores personales la adopción de la nueva memoria DDR4 se espera en 2015, cuando los procesadores Broadwell de 14 nanómetros alcancen nuevas remesas, lo que nos da una tranquilidad a todos los que necesitemos actualizar, o comprar un nuevo equipo durante este y el próximo año. Broadwell debería incorporar muchas optimizaciones y mejoras con respecto a Ivy Bridge, especialmente por el miniaturizado proceso de fabricación de 14 nanómetros.
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