Como consigna para cualquier compañía de tecnología a la hora de desarrollar un nuevo dispositivo es la de reducir el tamaño de los dispositivos electrónicos y el aumento de su capacidad, y que, al final, suelen guardar alguna relación de equilibrio que lleve a un compromiso entre ambos factores. Un equipo de la Universidad de Purdue (en Indiana, Estados Unidos) ha propuesto un esquema distinto para las memorias del futuro, las memorias FeTRAM, las cuales serían mucho más rápidas y consumirían mucho menos.
La combinación de nanocables de silicio con un polímero ferroelectrico es lo que combinaría la nueva tecnología, lo cual un material cambia la polaridad de los campos electromagnéticos cuando éstos se aplican, formándose así un nuevo tipo de transistor ferroeléctrico.
El cambio de polaridad del transistor ferroeléctrico, denominado FeTRAM, puede interpretarse como un “0” o un “1” binarios, por tanto, cada uno de estos transistores podrían almacenar un bit de información y podrían aplicarse en la fabricación de memorias de acceso aleatorio, eso sí, ferroeléctricas en las que se podría escribir, leer y mantener la información durante un largo período de tiempo.
“Hemos desarrollado la teoría y además hemos podido comprobar su funcionamiento en pruebas reales
De hecho, los resultados de esta investigación se han publicado en la edición de este mes de la revista Nano Letters, publicada por la American Chemical Society. FeTRAM permitiría a los fabricantes el desarrollo de memorias de almacenamiento no volátil además de consumir un 1% de la energía necesaria actualmente por las memorias flash, lo cual abre las puertas de una nueva generación de memorias que puedan ser utilizadas por dispositivos móviles sin penalizar el consumo de sus baterías.
Aún así, nuestro prototipo actual consume más energía que la prevista puesto que la escala no es la más adecuada pero las generaciones futuras de las memorias FeTRAM sí que tendrán como objetivo principal la reducción del consumo además de ser mucho más rápidas que las memorias SRAM de los ordenadores actuales. La gente quiere mantener sus datos en una memoria el mayor tiempo posible, 10 o 20 años, por tanto, deberíamos ser capaces de ofrecer dispositivos que puedan leerse y escribirse tantas veces como sea posible.
Además, también debe ser de baja potencia para que los dispositivos no se calienten mucho algo que nos obliga a reducir la escala e integrar muchos más en un área pequeña.” Dijeron los de la Universidad de Purdue
La compatibilidad con los procesos de fabricacion actuales de la industria de los componentes electronicos basados en CMOS es una de las grandes ventajas de FeTRAM, por lo que su introducción no sería traumática y podría reemplazar las tecnologías actuales sin necesidad de mantener una transición muy alargada en el tiempo.
Mientras tanto las investigaciones sigue su curso normal ya se han adelantado las solicitudes para patentar esta grandiosa tecnologia.
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